来源:中国科商网
光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫MaskAlignmentSystem。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻)意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
更广范围(UV,DUV,NUV)的紫外光波长选择,出射光强范围: 8mW/cm2~40mW/cm2
支持恒定光强或恒定功率模式
广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领。
常见曝光机举例:MYCRO美国制造的恩科优(N&Q)紫外曝光系统,适用于从特殊大小的基片到4尺寸很宽广范围材料的紫外或深紫外光曝光。NXQ400-6系统成功地应用于半导体制造,光电电子,平板,射频微波,衍射光学,微机电系统,凹凸或覆晶设备和其他要求精细印制和精度对准的应用。
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