来源:大半导体产业网
(资料图片仅供参考)
在科友半导体产学研聚集区一期工程投产前夕,科友半导体实验线传出好消息,以科友半导体自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破,达到32.146mm,业内领先。
科友半导体成立于2018年,主要攻关第三代半导体材料和装备。公司在相继突破4英寸和6英寸SiC衬底和装备技术的基础上,不断向产业化方向迈进,目前已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系,具备规模化生产条件。
科友半导体从成立伊始就致力于半导体技术和产业的自主创新。目前,公司自主研发的SiC长晶炉(感应)已有99%的部件实现国产替代。
研发进程
2022年2月,6英寸碳化硅晶体厚度突破20mm
2022年4月,6英寸碳化硅晶体厚度突破28mm
2022年6月,6英寸碳化硅晶体厚度突破32mm
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