安森美将在PCIM Europe 2022展示高能效方案

USB-C电源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二极管以及首款TOLL封装的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件简化高能效电源方案的设计

2022年4月27日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，将在2022年5月10日至12日于德国纽伦堡举行的PCIM Europe上推出一系列新的电源方案。

安森美在PCIM Europe的展台将呈现最新技术的现场演示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车、储能、智能电源等方案。其中的精彩演示包括一辆与慕尼黑工业大学(Technical University Munich) 联合开发的学生电动方程式(StudentFormula E)汽车和一辆电动摩托车。此外，安森美还将展出来自Kempower公司的一个电动车充电器实物，它采用了安森美的SiC二极管，以及一个带有ecoSpin的仓库机器人。

安森美首席营销官Felicity Carson说：“我们很高兴回到PCIM Europe实体展会，展示能解决能源基础设施、通信和电动车最新挑战的众多产品。我们与合作伙伴和客户合作，进一步展示我们技术的全新实践应用。”

安森美将发布新的power bundle，针对100 W以上的USB-C 供电（USB-C PD）充电，采用NCP1623、NCP1345和NCP4307，这些器件都是非常成功的临界导通模式功率因素校正(PFC)、高频准谐振(QR)和同步整流器控制器系列的一部分。新的USB-C控制器的发布将进一步扩展USB-C产品系列。

安森美是碳化硅(SiC)领域的领军企业之一，将推出多种新型SiC功率开关器件，性能都比前几代产品更强。首款TOLL封装的650 V 、33 mΩ SiC MOSFET NTBL045N065SC1，比D2PAK 7lead占位更小，空间更小，封装电感更低。首款TOLL封装的650 V 、33 mΩ SiC MOSFET提供开尔文(Kelvin)源配置，以改善开关损耗和门极噪声，并保证达到湿度敏感度等级1 (MSL1)。SiC器件与上一代硅器件相比具有明显的优势，包括高频下的能效更高、电磁干扰(EMI)更低、能承受更高的工作温度和更高的可靠性。安森美是唯一具有SiC方案垂直整合能力的供应商，包括SiC晶锭生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。

最后，安森美还将首次展示第7代IGBT和二极管。最新的1200 V FS7 IGBT比上一代的正向偏置电压下降了20%，大大提高了电机控制应用的能效和功率密度。公司还将推出快速版FS7 IGBT，用于太阳能、不间断电源(UPS)和储能等中高开关频率的应用，开关损耗减少50%。FS7产品组合进一步扩展， 包括750V和1200 V的VE-TracTMDirect符合车规方案的推出，具有出色的鲁棒性、软开关和高能效，以满足当今的电动车主驱需求。

安森美的技术人员将在PCIM Europe发表多个主题演讲，包括海报会议上的SiC技术、行业论坛上的电力电子技术、电动车论坛和参展商论坛。

关键词： 开关损耗 慕尼黑工业大学 功率密度